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深圳市重投天科半導體有限公司

                      
      
            
      
                        
                            
      
            
      
                        
      
                                
      
                                    
      
            
      
                        
      
                                
      
                                
      
                                
      

      
			導電型4H-SiC外延晶片

      

                
      
            
      
                        
      
                                
      
半絕緣型4H-SiC襯底片                
      
            
      
                        
      
                                
      
                    
      
  
      
  
      

      
                
      
            
      
                        
      
                                
      
襯底尺寸：4~6英寸
                
      晶片厚度：500 μm ± 15 μm

      電阻率：≥1E10 Ω·cm

      用途：主要用于外延GaN高功率射頻器件，應用于微波射頻領域。
                      
      
            
      
                        
      
                                
      
                    

                
      
            
      
                        
                            
      
            
      
                        
      
                                
      
                                
      
                                
      

      
			導電型4H-SiC外延晶片

      

                
      
            
      
                        
      
                                
      
                    

                
      
            
      
                        
      
                                
      
晶體尺寸：直徑4~6英寸
                
      電阻率：≥1E10 Ω·cm
                      
      
            
      
                        
      
                                
      
                    
      
  
      
  
      

      
                
      
            
      
                        
      
                                
      
半絕緣型4H-SiC晶體                
      
            
      
                            
      
            
      
                        
      
                                
      
                                    
      
            
      
                        
            
      






    



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